国内、国际学术界的领路人和里程碑

陈星弼院士是国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，也是国际上功率器件的结终端理论的集大成者。他从1981年就开始研究半导体功率器件，在中国首次研制了VDMOST、IGBT、LDMOST、MCT、EST等器件，并在国际上第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论。80年代末他提出了两种新的耐压层结构，并作了唯一的三维电场分析。其中超结结构大大突破了功率器件的硅极限，被称为“功率器件的新里程碑”。其美国发明专利US 5216275已被超过400个美国发明专利引用，中国因此获得78万美元的专利转让费。超结MOS器件已达到约10亿美元的年销售额。他还提出了最佳表面横向变掺杂的理论及横向新结构，在无需BCD技术而只用常规IC工艺的情况下，以最小面积研制出电学性能更好的高低侧功率器件。

陈院士近期的其它重要发明还包括高K电介质耐压结构、高速IGBT、两种多数载流子导电的器件等。